NDF03N60Z ， NDP03N60Z ，
NDD03N60Z
N沟道功率MOSFET
600 V, 3.3
W
特点
低导通电阻
低栅电荷
100％的雪崩测试
这些器件是无铅和符合RoHS标准
http://onsemi.com
V
DSS
600 V
R
DS （ ON）
（ TYP ） @ 1.2 A
3.3
W
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
连续漏电流
R
QJC
连续漏电流
R
QJC
T
A
= 100°C
漏电流脉冲，V
GS
@ 10 V
功耗
QJC
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩
能源，我
D
= 3.0 A
静电放电（ HBM）的
（ JESD 22 - A114 ）
RMS的隔离电压（ T =
0.3秒， R.H。
≤
30%,
T
A
= 25℃） （图17）
峰值二极管恢复
连续源电流
（体二极管）
最高温度
焊接信息
工作结
存储温度范围
符号
V
DSS
I
D
I
D
I
DM
P
D
V
GS
E
AS
V
ESD
V
ISO
4500
3.0
（注1 ）
1.9
（注1 ）
12
（注1 ）
25
NDF
NDP
600
3.0
1.9
12
78
30
100
3000
2.6
1.65
10
61
NDD
单位
V
A
A
G (1)
A
W
V
mJ
V
V
4
4
dv / dt的
I
S
T
L
T
J
, T
英镑
4.5 （注2）
3.0
260
55
150
V / ns的
A
°C
°C
1
1
1
1 2
S (3)
N沟道
D (2)
3
2
3
3
3
DPAK
TO- 220FP TO- 220AB
IPAK
CASE 221D CASE 221A CASE 369D CASE 369AA
方式2
风格1
风格5
方式2
2
2
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.通过限制最高结温
2. I
SD
= 3.0 A， di / dt的
≤
100 A / MS ，V
DD
≤
BV
DSS
, T
J
= +150°C
标记和订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第7页。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年4月
第3版
1
出版订单号：
NDF03N60Z/D
