电气特性
STP5NK100Z ， STF5NK100Z ， STW5NK100Z
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值，
TC = 125°C
分钟。
1000
1
50
±
10
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
Ω
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
门体漏电流
V
GS
= ± 20 V
(V
GS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.75 A
3
3.75
2.7
4.5
3.7
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
osseq(2)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
测试条件
分钟。
-
典型值。
4
1154
106
21.3
46.8
22.5
7.7
51.5
19
42
7.3
21.7
59
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
正向跨导V
DS
= 15 V，I
D
= 1.75 A
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
关闭电压上升时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GS
=0
-
V
GS
=0, V
DS
= 0 V至800 V
V
DD
= 500 V，I
D
= 1.75 A,
R
G
=4.7
Ω,
V
GS
=10 V
（见
图21）
V
DD
= 800 V，I
D
= 3.5 A
V
GS
=10 V
（见
图22）
-
-
-
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
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