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NTD5865NL
典型特征
1800
1600
C，电容（pF ）
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
C
RSS
10
C
OSS
20
30
40
50
60
C
国际空间站
V
GS
， GATE - 要 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0 V
T
J
= 25C
10
Q
T
8
6
4
2
0
Q
gs
Q
gd
V
DS
= 48 V
I
D
= 40 A
T
J
= 25C
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏 - 要 - 源极电压（ V）
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源与总充电
- 到 -
1000
I
S
，源电流（ A）
V
DD
= 48 V
I
D
= 40 A
V
GS
= 10 V
100
T， TIME （ NS ）
t
D（关闭）
10
t
r
t
f
t
D（上）
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.50 0.55 0.60 0.65 0.70 0.75 0.80 0.85 0.90 0.95 1.00
V
SD
， SOURCE - 要 - 漏极电压（ V）
V
GS
= 0 V
T
J
= 25C
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ Ω ）
100
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
1000
雪崩能量（兆焦耳）
V
GS
= 10 V
单脉冲
T
C
= 25C
10毫秒
40
35
100
ms
1毫秒
10
ms
30
25
20
15
10
5
0
25
图10.二极管的正向电压与电流
I
D
= 27 A
I
D
，漏电流（ A）
100
10
dc
1
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
1
10
100
0.1
50
75
100
125
150
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
V
DS
，漏 - 要 - 源极电压（ V）
图12.最大雪崩能量对比
开始结温
T
J
，起动结温
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