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NSI45030AT1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
稳态电流@ VAK = 7.5 V（注1 ）
高压架空（注2 ）
脉冲电流@ VAK = 7.5 V（注3 ）
电容@ VAK = 7.5 V（注4 ）
电容@ VAK = 0 V （注4 ）
1.
2.
3.
4.
符号
I
寄存器（ SS ）
V
架空
I
寄存器（ P）
C
C
32.4
民
27
典型值
30
1.8
36.4
2.5
5.7
40.4
最大
33
单位
mA
V
mA
pF
pF
I
寄存器（ SS ）
稳定状态是电压（ VAK）施加的持续时间
≥
10秒，使用FR-4 @ 300毫米
2
1盎司铜的痕迹，在静止空气中。
V
架空
= V
in
V
LED灯
. V
架空
对于75 ％I典型值
寄存器（ SS ）
.
I
寄存器（ P）
非重复性脉冲测试。脉冲宽度t
≤
300
毫秒。
F = 1MHz时， 0.02 V RMS 。
特征
器件总功耗（注5 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境（注5 ）
热参考，铅对环境（注5 ）
热参考，结到阴极引线（注5 ）
器件总功耗（注6 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境（注6 ）
热参考，铅对环境（注6 ）
热参考，结到阴极引线（注6 ）
器件总功耗（注7 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境（注7 ）
热参考，铅对环境（注7 ）
热参考，结到阴极引线（注7 ）
器件总功耗（注8 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境（注8 ）
热参考，铅对环境（注8 ）
热参考，结到阴极引线（注8 ）
器件总功耗（注9 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境（注9 ）
热参考，铅对环境（注9 ）
热参考，结到阴极引线（注9 ）
器件总功耗（注10 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境（注10 ）
热参考，铅对环境（注10 ）
热参考，结到阴极引线（注10 ）
结温和存储温度范围
符号
P
D
R
θ
JA
R
ψ
LA
R
ψ
JL
P
D
R
θ
JA
R
ψ
LA
R
ψ
JL
P
D
R
θ
JA
R
ψ
LA
R
ψ
JL
P
D
R
θ
JA
R
ψ
LA
R
ψ
JL
P
D
R
θ
JA
R
ψ
LA
R
ψ
JL
P
D
R
θ
JA
R
ψ
LA
R
ψ
JL
T
J
, T
英镑
最大
208
1.66
600
404
196
227
1.8
550
390
160
347
2.8
360
200
160
368
2.9
340
208
132
436
3.5
287
139
148
463
3.7
270
150
120
55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
° C / W
°C
热特性
5. FR-4 @ 100毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
6. FR-4 @ 100毫米
2
， 2盎司铜的痕迹，静止的空气中。
7. FR-4 @ 300毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
8. FR-4 @ 300毫米
2
， 2盎司铜的痕迹，静止的空气中。
9. FR-4 @ 500毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
10. FR-4 @ 500毫米
2
， 2盎司铜的痕迹，静止的空气中。
注：铅测量是通过非接触方法制得的诸如IR与经处理的表面，以增加发射到0.9。
铅的温度测量通过附着T / C可产生值高达高30％
° C / W
根据经验值
测量和附件的方法。
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