添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第70页 > NSM46211DW6T1G > NSM46211DW6T1G PDF资料 > NSM46211DW6T1G PDF资料1第1页
NSM46211DW6T1G
双NPN晶体管
通用NPN晶体管和
NPN晶体管与单片偏置
NSM46211DW6T1G包含一个NPN晶体管与单个
与单片偏置网络NPN偏置电阻晶体管;系列
基极电阻和基极 - 发射极电阻。本设备被设计为
通过替代多个晶体管和电阻器的客户板
将这些组件集成到单个设备中。
NSM46211DW6T1G装在一个SC -88 / SOT- 363封装
这是理想的低功率表面贴装空间应用
受限的应用。
特点
http://onsemi.com
(3)
R
1
Q
1
Q
2
(2)
R
2
(1)
(4)
(5)
(6)
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
Q1 : NPN
Q2 : NPN BRT , R1 = R2 = 10 K(典型值)
这是一个Pb - Free设备
6
1
SC-88/SOT-363
CASE 419B
风格1
应用
逻辑开关
放大器阳离子
驱动电路
接口电路
标记图
6
N5 M
G
G
1
N5
=器件代码
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*日期代码的方向和/或位置可
这取决于制造地点而有所不同。
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明,常见的Q
1
和Q
2
- 减号为Q
1
(PNP)中省略)
评级 - Q1 ( NPN )
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
评级 - Q2 ( NPN BRT )
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
C
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
80
65
6.0
100
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
单位
VDC
VDC
MADC
订购信息
设备
NSM46211DW6T1G
航运
SC - 88 3000 /磁带&卷轴
(无铅)
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2008年
1
2008年2月 - 修订版0
出版订单号:
NSM46211DW6/D
首页
上一页
1
共4页

深圳市碧威特网络技术有限公司