NTP13N10
首选设备
功率MOSFET
13 A， 100 V， N沟道
增强型TO- 220
特点
源极到漏极二极管的恢复时间等同于离散
快恢复二极管
较高的雪崩能量
I
DSS
和R
DS （ ON）
指定高温
无铅包装是否可用
典型应用
V
DSS
100 V
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
典型值
165毫欧@ 10 V
N沟道
D
I
D
最大
13 A
PWM电机控制
电源
转换器
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至源极电压（R
GS
= 1.0 MΩ)
栅极 - 源极电压
连续
不重复（T
p
v10
女士）
漏电流
连续@ T
A
25°C
连续@ T
A
100°C
脉冲（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
单漏 - 源雪崩能量
起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 50伏，V
GS
= 10 VDC ，
I
L
（PK ）= 13 A，L = 1.0 mH的，R
G
= 25
Ω)
热阻
结到外壳
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
D
价值
100
100
"20
"30
ADC
13
8.0
39
64.7
0.43
55
to
+175
W
W / ℃，
°C
mJ
85
° C / W
°C
13N10
A
Y
WW
1
2
3
4
单位
VDC
VDC
VDC
G
S
标记图
＆放大器;引脚分配
4
漏
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
E
AS
TO220AB
CASE 221A
风格5
1
门
13N10
AYWW
3
来源
2
漏
R
θJC
T
L
2.32
260
=器件代码
=大会地点
=年
=工作周
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.脉冲测试：脉冲宽度= 10
女士，
占空比= 2 ％ 。
订购信息
设备
NTP13N10
NTP13N10G
包
TO220AB
TO220AB
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年8月，
启示录6
1
出版订单号：
NTP13N10/D
