NUS6160MN
最大额定值
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
等级
V
IN
对地
OUT ， EN ， FLAG引脚对地电压
从V最大电流
IN
到V
OUT
（PMOS）
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流，稳态
漏电流脉冲，T
p
= 10毫秒
源出电流
工作环境温度
储存温度
工作结温
热阻（注1 ）
1年
2
(645 mm
2
） （所有设备全面增强）
OVP FET
FET
SW
FET
REG
1年
2
(645 mm
2
） （ OVP和FET
SW
全面增强， 1 V电压FET降
REG
)
OVP FET
FET
SW
FET
REG
在0.25
2
(161 mm
2)
（所有设备全面增强）
OVP FET
FET
SW
FET
REG
在0.25
2
(161 mm
2
） （ OVP和FET
SW
全面增强， 1 V电压FET降
REG
)
OVP FET
FET
SW
FET
REG
ESD性能（人体模型）引脚1 ， 15 ， 18 ， 19 ， 20
无铅焊接温度的目的（ 1/8“从案例10秒）
符号
V
IN
V
OUT
, V
EN
, V
旗
I
最大
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
T
A
T
英镑
T
J
q
JA
68
42
46
43
39
80
79
53
56
53
49
92
T
L
2.5
260
kV
°C
40
55
8.0
民
0.3
0.3
最大
21
7.0
600
20
8.0
2.0
4.0
1.1
85
150
150
单位
V
V
mA
V
V
A
A
A
°C
°C
°C
° C / W
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1. 1盎司铜，双面电路板。热阻抗需要为总
DT
计算。参见例如热描述。
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