NX2124/2124A
P
HCON
=I
输出2
×
D
×
R
DS （ ON）
×
K
P
LCON
=I
输出2
×
(1
D)
×
R
DS （ ON）
×
K
P
总
=P
HCON
+
P
LCON
...(20)
I
SET
=
360mV
K
×
R
DSON
如果MOSFET
DSON
= 9mΩ ，最坏的情况下热
考虑K = 1.5 ，然后
I
SET
=
320mV
360mV
=
=
26.7A
K
×
R
DSON
1.5
×
9m
其中，第r
DS （ ON）
会随着MOSFET junc-
化温度的升高，K为R
DS （ ON）
温度
依赖。其结果，R
DS （ ON）
应选择
最坏的情况下，具有K大约等于1.4
在125
o
根据IRFR3706数据表
.
传导
化损失应不超过封装额定值或整体
系统热预算。
开关损耗主要是由交叉CON-
duction在切换过渡。总开关
损耗可近似。
布局的注意事项
设计高时的布局是非常重要的
高频开关转换器。布局会影响噪音
皮卡，并可能导致一个好的设计与执行
比预期少的结果。
有两套组件在考虑
这是功率器件和小显的布局
最终的组件。功率器件通常由
输入电容，高边MOSFET ，低侧MOSFET ，
电感器和输出电容器。嘈杂的环境是
由功率元件由于开关产生的
荷兰国际集团的力量。小信号部分被连接到
敏感的引脚或节点。多层布局这在 -
cludes电源层，接地层及信号层是
推荐使用。
布局原则：
1.首先把所有的电源组件，在顶部
一层宽，铜填充区域相连接。输入
电容器，电感器，输出电容器和MOSFET的
应彼此接近越好。这有助于
减小EMI由于辐射的功率循环
通过这些高开关电流。
2.低ESR电容器可处理的输入RMS
纹波电流和高频去耦陶瓷
帽子通常是1uF的
需要几乎
触摸
荷兰国际集团上MOSFET的漏极引脚，一个平面连接
化是必须的。
3.输出电容应尽量靠近
作为对负载尽可能与平面连接是重新
quired 。
4.漏低边MOSFET和源
高侧MOSFET需要连接直通的平面
答尽可能接近。一个缓冲nedds放置
尽可能靠近这个结成为可能。
5.源下MOSFET的需要CON组
1
×
V
IN
×
I
OUT
×
T
SW
×
F
S
.
..(21)
2
在那里我
OUT
输出电流，T
SW
为t的总和
R
P
SW
=
和T
F
可在MOSFET数据表可以发现，和F
S
是开关频率。开关损耗P
SW
是频率
依赖。
也MOSFET栅极驱动器损耗应consid-
ERED时，选择合适的功率MOSFET 。
MOSFET栅极驱动损耗是由显示产生的损耗
代办
i
纳克的栅极电容和耗散在驱动
circuits.It正比于频率并且被定义为：
P
门
=
(Q
HGATE
×
V
HGS
+
Q
LGATE
×
V
LGS
)
×
F
S
...(22)
其中Q
HGATE
是高边MOSFET的栅极
电荷Q
LGATE
是低边MOSFET的栅极电荷，V
HGS
是高侧栅极 - 源极电压，V
LGS
是低
侧栅极 - 源极电压。
这个功耗应不超过马克西
所述的驱动装置的妈妈功耗。
过电流限制保护
过电流限制降压转换器
通过感测电流通过低侧实现
MOSFET。对于NX2124 ，目前的限制是由决定
第r
DSON
低边MOSFET 。当同步
FET是，和SW引脚上的电压低于360mV ，
过电流发生。过电流限制可
由下面的等式来计算。
Rev.1.8
02/28/08
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