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1
注册240PIN DDR2 SDRAM DIMM内存模块
参数
退出自刷新到非读命令
退出自刷新到一个读命令
出口预充电功率降低到任何非读
命令
退出有功功率下降到读命令
退出有功功率下降到读命令
（慢射，更低的功耗）
CKE最小脉冲宽度
（高和低脉冲宽度）
ODT导通延迟
ODT开启
ODT开启（省电模式）
ODT关断延迟
ODT关闭
ODT关闭（省电模式）
ODT断电进入潜伏期
ODT掉电退出延时
OCD驱动模式输出延迟
最短时间时钟CKE后仍开
异步降到低
平均周期刷新间隔
符号
tXSNR
tXSRD
TXP
tXARD
tXARDS
Tcke
tAOND
tAON
tAONPD
tAOFD
tAOF
tAOFPD
tANPD
tAXPD
TOIT
tDELAY时间
tREFI
tREFI
DDR2-667
民
tRFC + 10
200
2
2
7 - AL
3
2
TAC （分钟）
tAC(min)+2
2.5
TAC （分钟）
TAC （分钟）
+2
3
8
0
TIS + TCK + TIH
-
-
7.8
3.9
12
2
TAC （最大）
+0.7
2tCK+
tAC(max)+1
2.5
TAC （最大） +0.6
2.5tCK+
tAC(max)+1
-
-
最大
民
DDR2-800
最大
-
-
tRFC + 10
200
2
2
8 - AL
3
2
TAC （分钟）
TAC （分钟）
+2
2.5
TAC （分钟）
TAC （分钟）
+2
3
8
0
TIS + TCK
+ TIH
-
-
7.8
3.9
12
2
TAC （最大）
+0.7
2tCK+
tAC(max)+1
2.5
TAC （最大）
+0.6
2.5tCK+
tAC(max)+1
单位
ns
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
ns
ns
TCK
ns
ns
TCK
TCK
ns
ns
us
us
记
2
3
注意：
1.对于细节和注意事项，请参阅相关的HYNIX成分表H5PS1G [ 4,8 ] 3EFR 。
2.
0°C
≤
T
例
≤ 85°C
3. 85°C ＜
T
例
≤ 95°C
修订版0.2 / 2008年9月
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