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注册240PIN DDR2 SDRAM DIMM内存模块
直流输入逻辑电平
参数
DC输入逻辑高
DC输入逻辑低
符号
V
IH
（DC）的
V
IL
（DC）的
民
V
REF
+ 0.125
-0.30
最大
V
DDQ
+ 0.3
V
REF
- 0.125
单位
V
V
记
AC输入逻辑电平
参数
AC输入逻辑高
AC输入逻辑低
符号
V
IH
（AC）的
V
IL
（AC）的
DDR2 400/533
民
V
REF
+ 0.250
-
最大
-
V
REF
- 0.250
DDR2 667/800
民
V
REF
+ 0.200
-
最大
-
V
REF
- 0.200
单位
V
V
笔记
AC输入测试条件
符号
V
REF
V
SWING （ MAX）
SLEW
注意：
1.
2.
3.
输入波形时序参考输入信号交叉通过V
REF
电平施加到被测器件。
该输入信号的最小压摆率要保持在从V的范围内
REF
最大到V
IH （AC）的
分的上升沿和
范围从V
REF
分钟到V
白细胞介素（AC）的
如图所示，在下面的图中最大为下降沿。
AC时序与输入波形切换从VIL （ AC）到VIH （ AC）上的积极转变和VIH （ AC）为参考
VIL （交流）上的负跳变。
条件
输入参考电压
输入信号的最大峰 - 峰摆幅
输入信号的最小转换速率
价值
0.5 * V
DDQ
1.0
1.0
单位
V
V
V / ns的
笔记
1
1
2, 3
启动下降沿输入时序
启动上升沿输入时序
V
SWING （ MAX）
V
DDQ
V
IH （AC）的
民
V
IH（ DC）的
民
V
REF
V
IL （ DC ）
最大
V
白细胞介素（AC）的
最大
V
SS
V
IH （AC）的
分钟 - V
REF
TF
落摆=
V
REF
- V
白细胞介素（AC）的
最大
TR
TF
瑞星杀=
TR
<图： AC输入测试信号波形>
修订版0.2 / 2008年9月
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