ATA6824
5.6
VG稳压器
该VG的调节器用于生成所述栅极电压为低侧驱动器。其输出电压
将被用作一个输入用于电荷泵，其产生的栅极电压为
高侧驱动器。调节器的目的是限制栅极电压的外部电源
MOS晶体管12V 。它需要一个陶瓷电容470 nF的稳定。输出电压
如果在VBAT的电源电压低于12V降低。
5.7
电荷泵
集成电荷泵需要提供外部功率MOS晶体管的栅极
器。它需要220 nF的一个洗牌的电容和470 nF的一个储能电容。无负载时，
在储存电容器输出电压为V
BAT
加VG 。电荷泵的时钟与
100千赫专用的内部振荡器。电荷泵被设计为达到良好的EMC
的水平。
5.8
热关断
还有就是实施了热关断块。随着结温升高，第一警告
电平将在180℃下达到。在这一点上的集成电路保持全面的功能和一个警告将
发送到微控制器。在结温200 ℃， VCC稳压器将被关闭
和一个复位。
5.9
H桥驱动器
该IC包括两个推挽驱动的两个外部功率NMOS控制用作高边
作为低端driv-驱动器和两个推挽驱动两个外部功率NMOS控制
ERS 。该驱动程序能够使用标准和逻辑电平功率NMOS使用。
驱动程序的高侧控制使用电荷泵电压供给栅极与电压
年龄VG以上的电池电压电平。低边驱动器由VG直接供应。这是
可以控制外部负载（电动机）在正向和反向方向（见
表5-1
第10页） 。
的PMW的占空比控制所述速度。 100％的占空因数是可能的
两个方向。
5.9.1
交叉传导时间
为了防止在所述H桥高峰值电流，以非重叠的相位，用于切换克斯特
最终功率NMOS实现。外部RC组合定义了交叉导通时间
方式如下：
t
CC
(s) = 0.41
×
R
CC
(k)
×
C
CC
（ NF） （公差： ± 5 ％ ± 0.15微秒）
RC组合被充电到5V，内部比较器的开关电平是67％
开始的水平。
电阻器R
CC
必须大于5 kΩ和应该尽可能接近到10kΩ ，则C
CC
值必须
≤
5 nF的。推荐使用COG电容用料。
时间测量由PWM或DIR信号越过50％的电平触发的。
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4931E–AUTO–01/08
