PJD06N03
25V N沟道增强型MOSFET
TO-252
特点
R
DS （ ON）
, V
GS
@10V,I
DS
@30A=6m
R
DS （ ON）
, V
GS
@4.5V,I
DS
@30A=9m
先进的加工技术
高密度单元， UITRA低导通电阻
专为DC / DC转换器和电机驱动器
充分界定雪崩电压和电流
无铅产品： 99 ％以上的锡能满足RoHS指令的环境
物质指令的要求
MECHANICALDATA
案例： TO- 252模压塑料
终端：每MIL -STD- 750 ，方法2026焊性
标记： 06N03
漏
门
来源
最大额定值和热特性（T
A
=25
O
C除非另有说明）
PA RA M E TE
，D R A I N - S 0乌尔权证武L T A G é
G A T E - S 0乌尔权证武L T A G é
C 0 NT I傩我们 R A I N C-UR 鄂西北
P UL发E D D R A I N C-UR 鄂西北
1)
S YM B○升
V
S
V
GS
I
D
I
D M
T
A
= 2 5
O
C
T
A
= 7 5
O
C
P
D
T
J
, T
S T摹
E
AS
R
θ
J·C
R
θ
J A
李密吨
25
+20
60
280
6 2 .5
3 7 .5
-5 5 + 1 5 0
180
2 .0
50
ü妮吨s
V
V
A
A
W
O
米喜米UM P 2 O宽E R D所I S的I P A T I O 4 N
操作摄像 unctionand S torage特mperature 法兰
雪崩能量单脉冲
ID = 27A ， VDD = 25V ， L = 0.5mH
结到外壳热阻
结至环境热阻（PCB安装）
2
C
mJ
O
C / W
C / W
O
注：1，最大直流电流受限于包
2.表面安装在FR4板，T < 10秒
PAN JIT保留改进产品的设计，性能和可靠性，恕不另行通知
STAD-JUL.19.2006
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