RJK2017DPP
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
REJ03G1797-0200
Rev.2.00
2009年8月26日
特点
低导通电阻
低漏电流
高速开关
概要
瑞萨封装代码： PRSS0003AB -A
（包名称： TO- 220FN ）
D
G
1.门
2.漏
3.源
1
2 3
S
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注：1 。
2.
3.
4.
PW
≤
10
μs,
占空比
≤
1%
在Tc值= 25°C
STCH = 25C ，总胆固醇
≤
150°C
由最大安全作业区的限制
符号
V
DSS
V
GSS
I
注4
I
D（脉冲）注1
I
DR
I
注3 AP
E
AR注3
PCH
Note2
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
200
±30
45
135
45
12
9.6
30
4.17
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
REJ03G1797-0200 Rev.2.00 2009年8月26日
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