BPW96B ， BPW96C
威世半导体
硅NPN光电晶体管，符合RoHS
200
P
V
- 功耗（MW ）
160
120
R
thJA
80
40
0
0
94
8300
40
60
80
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
20
100
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
基本特征
参数
集电极发射极击穿电压
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极电容
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
光谱带宽范围
集电极 - 发射极饱和电压
开启时间
打开-O FF时间
截止频率
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950纳米，
I
C
- 0.1毫安
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω
测试条件
I
C
= 1毫安
V
CE
= 20 V ， E = 0
V
CE
= 5 V ， F = 1MHz时， E = 0
符号
V
（ BR ） CEO
I
首席执行官
C
首席执行官
λ
p
λ
0.1
V
CESAT
t
on
t
关闭
f
c
2.0
2.3
180
分钟。
70
1
3
± 20
850
450 1080
0.3
200
典型值。
马克斯。
单位
V
nA
pF
度
nm
nm
V
s
s
千赫
专用型特点
参数
收藏家光电流
测试条件
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950纳米，
V
CE
= 5 V
部分
BPW96B
BPW96C
符号
I
ca
I
ca
分钟。
2.5
4.5
典型值。
4.5
8
马克斯。
7.5
15
单位
mA
mA
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420
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文档编号： 81532
修订版1.7 ， 05月， 08
