SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BUH1015
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 10毫安;我
C
=0
I
C
= 100毫安;我
B
=0
I
C
= 10A ;我
B
=2A
I
C
= 10A ;我
B
=2A
V
CE
=1500V ;V
BE
=0
T
j
=125°C
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 10A ; V
CE
=5V
7
10
民
10
700
1.5
1.5
0.2
2
0.1
14
典型值。
最大
单位
V
V
V
V
mA
mA
符号
V
（ BR ） EBO
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BESAT
I
CES
I
EBO
h
FE
开关时间
t
s
t
f
贮存时间
I
C
=10A;I
B1
=2A;I
B2
=-6A;
V
CC
=400V
下降时间
110
ns
1.5
s
热特性
符号
R
第j个例
参数
热阻结案件
最大
0.78
单位
/W
2
