BU7261G,BU7261SG,BU7241G,BU7241SG,BU7262F/FVM,BU7262SF/FVM,BU7242F/FVM,BU7242SF/FVM
BU7461G,BU7461SG,BU7441G,BU7441SG,BU7462F/FVM,BU7462SF/FVM,BU7442F/FVM,BU7442SF/FVM
技术说明
2.11压摆率（ SR ）
表示当阶跃输入信号施加电压输出的时间波动率。
2.12单位增益频率（FT）
表示一个频率上运算放大器的电压增益为1 。
2.13总谐波失真+噪声（ THD + N）
表示输入偏置电压或输出电压的变动，与参考的输出电压的变化
驱动通道。
2.14输入参考噪声电压（越南）
表明运算放大器相当于由理想电压源内部产生的噪声电压串联
与输入端子连接。
●降额
曲线
功耗（总损耗）表示可以通过集成电路在Ta被消耗掉的功率= 25℃ （常温） 。
集成电路是在加热时它消耗的功率，和IC船舶的温度比周围温度高。
可以由IC芯片所接受的温度取决于电路结构，制造工艺，和消耗
能力是有限的。
功耗由在IC芯片（最大结点温度）和热使温度确定
封装（散热能力）的阻力。
最大结温度通常等于在存储包的最大值（散热功能）。
最大结温度通常等于在存储温度范围的最大值。产生的热量
由集成电路所消耗的功率照射从模具中的树脂或封装的引线框架。
这表示在此散热性（热释放的硬度）的参数被称为热阻
用符号表示的
θJ -A [ ℃ / W] 。
IC的封装内的温度可以通过这个热阻来估计。
Fig.190 （ a）示出了封装的热电阻的模型。热电阻
θJA ，
周围温度Ta ，结
温Tj和功耗的Pd ，可以计算由下式：
θJA
＝
（ TJ - Ta）的/钯
[℃/W]
(Ⅰ)
在Fig.190 （二）衰减曲线表明功率能够由集成电路所消耗，参照环境温度。
功率可以由集成电路所消耗开始衰减，在某些环境温度。
这种梯度IIS通过热阻决定
θJA 。
热阻
θJA
取决于芯片大小，功耗，
包，环境温度，封装条件下，风速等，即使在同一个包中被使用。
热还原曲线表示在特定条件下测得的参考值。 Fig191 （ C） - （ f）是一个降额曲线
为BU7261的/ 41family一个例子， BU7262 / 42family 。 ， 7461 / 7441family ， 7462 / 7442family 。
LSI的功耗[W]
[W]
PD （最大）
θJA
＝
（ TJ
－
TA ） / PD [
℃
/W]
周囲温度
℃
环境温度TA [ ℃ ]
パッケージ表面温度
TA [
℃
]
封装表面温度[ ℃ ]
TA [ ]
P2
θja2
<θja1
P1
θja2
TJ（MAX）
θja1
チップ表面温度
[℃]
芯片表面温Tj
TJ [
℃
]
0
功耗P [ W]
P [ W]
消費電力
25
50
75
100
125
环境温度TA [ ℃ ]
BU7462/BU7442
TJ（MAX）
（一）热电阻
（二）降额曲线
图。 190热电阻和降额
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