晶体管
2SD1993
NPN硅外延平面型
对于低频和低噪声放大
单位：mm
6.9±0.1
1.05 2.5±0.1
(1.45)
±0.05
0.8
q
q
q
0.45
–0.05
+0.1
(Ta=25C)
1
2
3
0.45
–0.05
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
2.5±0.5
2.5±0.5
+0.1
评级
55
55
7
200
100
400
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
1.2±0.1
0.65
马克斯。
0.45
+0.1
– 0.05
注意：除了
所示引线型
上图所示，
在如图所示键入
下图是
也可提供。
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
MT1类型封装
2.5±0.1
（ HW型）
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
噪声电压
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE *
V
CE （ SAT ）
f
T
NV
条件
V
CB
= 20V ，我
E
= 0
V
CE
= 20V ，我
B
= 0
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 2毫安，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 2毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= -2mA ， F = 200MHz的
V
CE
= 10V ，我
C
= 1毫安，G
V
= 80分贝
R
g
= 100kΩ的，功能= FLAT
200
150
55
55
7
210
650
1.0
V
兆赫
mV
民
典型值
最大
100
1
单位
nA
A
V
V
V
*
h
FE
等级分类
R
210 ~ 340
S
290 ~ 460
T
360 ~ 650
h
FE
秩
14.5±0.5
0.85
低噪声电压NV 。
高盼着电流传输比H
FE
.
让供应与径向录音。
0.65最大。
1.0
3.5±0.1
0.8
s
特点
0.15
0.7
4.0
1
