位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第338页 > BH30NB1WHFV-TR > BH30NB1WHFV-TR PDF资料 > BH30NB1WHFV-TR PDF资料1第5页
BH □□ NB1WHFV系列
块
图中，推荐电路图和引脚分配图
BH□□NB1WHFV
VIN
VIN
3
电压
参考
技术说明
针
号
VOUT
VOUT
符号
STBY
GND
V
IN
V
OUT
北卡罗来纳州
功能
输出电压的ON / OFF控制
（高：开，低： OFF）
地
电源输入
电压输出
无连接
CIN
2
1
2
3
4
5
4
GND
热
保护
过电流
保护
Co
北卡罗来纳州
5
VSTB
STBY
1
控制
块
CIN
0.1F
Co
2.2F
图。 25
“权力
耗散（PD）的
1.功耗（PD ）
功耗的计算包括功耗特性和内部IC的功耗估算，
并应被视为准则。在事件的集成电路中使用的环境中，此功耗是
突破，随之而来的结温会触发热关断电路，减小电流
容量和以其他方式降低了集成电路的设计性能。允许足够的利润，使这个功耗是
IC操作期间未超标。
计算最大内部IC的功耗（P
最大
)
P
最大
= (V
IN
V
OUT
)
I
OUT
（ MAX 。 ）
V
IN
：输入电压
V
OUT
：输出电压
I
OUT
（ MAX） ：最大。输出电流
2.功耗/功耗降低（ PD）
HVSOF5
0.6
董事会： 70毫米
70 mm
1.6 mm
材料：玻璃环氧树脂印刷电路板
0.4
410毫瓦
钯[W]
0.2
0
0
25
50
75
100
125
TA [
℃
]
图。 26
HVSOF5功耗/功耗降低（例）
*电路设计应允许足够的裕度的温度范围内，使得PMAX <钯。
- 输入
输出电容
建议将输入和GND引脚之间的旁路电容，其定位为靠近引脚
可能。这些电容将被用于当电源阻抗增加或长布线路径被使用时，使
一旦集成电路已被安装，他们会被检查。
陶瓷电容一般有温度和直流偏置特性。在选择陶瓷电容，采用X5R或
X7R或更好的模式，提供良好的温度和直流偏置特性和高耐电压。
典型的陶瓷电容特性
120
100
卡帕克itance变化率[ ％ ]
100
变化的电容率（％）
变化Capacitanc é率[ ％ ]
50 V
公差
50 V容限
120
95
100
80
80
90
85
80
75
X7R
X5R
Y5V
60
40
10 V
公差
16 V容限
10 V
公差
60
40
16 V容限
20
20
0
0
0
1
70
直流偏置伏[V]的
2
3
4
0
1
直流偏置伏[V]的
2
3
4
- 25
0
25
温度[ ℃ ]
50
75
图。 27电容VS偏见
(Y5V)
www.rohm.com
2009 ROHM有限公司保留所有权利。
图。 28电容VS偏见
（ X5R ， X7R ）
图。 29电容与温度
（ X5R ， X7R ， Y5V ）
5/8
2009.04 - Rev.A的
