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BB302M
内置偏置电路MOS FET IC
甚高频射频放大器
REJ03G0825-0400
（上ADE- 208-572B ）
Rev.4.00
Aug.10.2005
特点
内置偏置电路;为了减少使用零件成本& PC板空间。
低噪音的特点;
（ NF = 1.7 dB典型值，在f = 200兆赫）
承受静电放电;
内置ESD吸收二极管。承受高达240V的C = 200pF的，卢比= 0的条件。
提供迷你模具包; MPAK - 4 （ SOT- 143Rmod ）
概要
瑞萨封装代码： PLSP0004ZA -A
（包名称： MPAK - 4 ）
2
3
1
4
1.源
2. GATE1
3. GATE2
4.漏
注意事项：
1.标记为“ BW - ” 。
2. BB302M是RENESAS BBFET个别型号。
Rev.4.00 2005年8月10日第1页9
