BA00DD0WCP-V5,BA00DD0WHFP,BA00DD0WT,
BA00CC0WT,BA00CC0WT-V5,BA00CC0WCP-V5,BA00CC0WFP
技术说明
ΔVO
终奌站
请附上V之间的反振荡电容
OUT
和GND 。该电容器的电容可显著
而发生变化的因素，如温度的变化，这可能会引起振荡。请使用钽电容或
以良好的特性和小的外部串联电阻（ESR ） ，即使在低的铝电解电容器
温度。输出振荡无论的ESR是大还是小。请内稳定使用IC
操作区，而指的是ESR特性的参考通过35所示Figs.33在情况下，有数据
在突加负载的波动，一个大的电容。
100
100
等效串联电阻： ESR （Ω）
不稳定的工作范围
等效串联电阻： ESR （Ω）
不稳定的工作范围
OUT
IC
10
稳定的工作区域
10
稳定的工作区域
1
22
μ
F
C（ ADJ ）
1
不稳定的工作范围
0.1
不稳定的工作范围
0.1
0
200
600
800
400
输出电流： LO （MA ）
1000
1
10
产量
100
当前位置： LO （MA ）
1000
图33 ：输出等效电路
图34 ：木卫一与ESR特性
(BA□□CC0)
图35 ：木卫一与ESR特性
(BA□□DD0)
其他
1 ）保护电路
过电流保护电路
对应于电流容量内置的过电流保护电路防止电路损坏时，有
在负载短路。此保护电路是一个“ 7 ”形的电流控制，其被设计，使得电流电路
限定，当大电流瞬间流过该系统具有高电容不锁存连
电容。然而，尽管该保护电路可有效地防止破坏由于意外事故，它
不适合于连续操作或瞬时使用。创建热设计时的过电流请注意
保护电路具有对于温度（参照图4和图16）的负电流容量特性。
热关断电路（热保护）
这个系统有一个内置的温度保护电路，用于保护IC免受热损伤的目的。如
如上所示，这必须接受的损失的范围内使用，但是，如果可以接受的损失恰好是连续
超过，则芯片温Tj的增加，使所述温度保护电路进行操作。
当热关闭电路工作时，该电路的操作被暂停。该电路恢复运作
后，立即将芯片温Tj减小，所以输出重复ON和OFF状态（请参阅
图12和24，用于将温度保护电路工作时的温度） 。
有在其中的集成电路是由于热失控销毁时，它被留在过负荷状态的情况。一定要
请注意不要将IC的过载状态。
反向电流
为了防止集成电路的破坏时的反向电流流过IC ，则建议的二极管
被放置在Vcc和Vo和被创建，使得电流可以逃避的路径（参见图36 ）之间。
2 ）此IC是双极IC，它具有P板（基板）和P +隔离层
每间设计，如图37所示。一个P -N结之间形成
这个P层和N型层的每个器件的，并且PN结作为一个
寄生二极管，当电势的关系是GND>终端A，
GND>接线端B ，同时它操作为一个寄生晶体管时的电
潜在的关系是B端GND>终端A.寄生器件
固有的集成电路。寄生设备的操作引起的相互
电路，引起误动作，并最终在间干扰
破坏IC本身。既要注意不要使用IC方式
这会导致寄生元件工作。例如，施加
电压比所述接地（P-板）连接到输入端为低。
晶体管（ NPN ）
B
（引脚B ）O
E
GND
N
P+
N
P
N
P
寄生元件
或晶体管
P+
N
P
N
P+
N
P
P+
N
寄生元件
GND
GND
（引脚A）
寄生元件
GND
反向电流
VCC
CTL
GND
OUT
图。 36 ：旁路二极管
（引脚B）
B
C
E
GND
电阻器
（引脚A）
寄生元件
或晶体管
图。 37：双极集成电路的基本结构的实施例
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