功率晶体管
2SD1743 ， 2SD1743A
硅NPN三重扩散平面型
进行功率放大
补充2SB1173和2SB1173A
单位：mm
7.0±0.3
3.0±0.2
3.5±0.2
0.8±0.2
s
特点
q
q
q
高正向电流传输比H
FE
它具有良好的线性度
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
I型包使散热片直接焊接到
在印刷电路板，小型电子设备等。
(T
C
=25C)
评级
60
80
60
80
5
8
4
15
1.3
150
-55到+150
单位
V
7.2±0.3
1.1±0.1
1.0±0.2
10.0
–0.
+0.3
0.85±0.1
0.4±0.1
0.75±0.1
2.3±0.2
4.6±0.4
1
2
3
s
绝对最大额定值
参数
集电极
基极电压
集电极
2SD1743
2SD1743A
2SD1743
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
I型包
3.5±0.2
2.0±0.2
7.0±0.3
单位：mm
0 0.15
发射极电压2SD1743A
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
V
10.2±0.3
7.2±0.3
V
A
A
3.0±0.2
1.0最大。
2.5
0.75±0.1
0.5 MAX 。
0.9±0.1
0 0.15
W
C
C
1.1±0.1
1
2
3
2.3±0.2
4.6±0.4
s
电气特性
参数
集电极截止
当前
集电极截止
当前
发射Cuto FF电流
集电极到发射极
电压
2SD1743
2SD1743A
2SD1743
2SD1743A
2SD1743
2SD1743A
(T
C
=25C)
符号
I
CES
I
首席执行官
I
EBO
V
首席执行官
h
FE1*
h
FE2
V
BE
V
CE （ SAT ）
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
V
CE
= 60V, V
BE
= 0
V
CE
= 80V, V
BE
= 0
V
CE
= 30V ，我
B
= 0
V
CE
= 60V ，我
B
= 0
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
I
C
= 30mA时我
B
= 0
V
CE
= 4V ，我
C
= 1A
V
CE
= 4V ，我
C
= 3A
V
CE
= 4V ，我
C
= 3A
I
C
= 4A ，我
B
= 0.4A
V
CE
= 10V ，我
C
= 0.5A ， F = 10MHz时
I
C
= 4A ，我
B1
= 0.4A ，我
B2
= – 0.4A,
V
CC
= 50V
25
0.4
1.2
0.5
60
80
70
15
民
典型值
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
我型封装（ Y）
最大
400
400
700
700
1
单位
A
A
mA
V
正向电流传输比
基地发射极电压
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
*
h
FE1
250
2
1.5
V
V
兆赫
s
s
s
等级分类
Q
70至150
P
120至250
秩
h
FE1
2.5±0.2
1.0
2.5±0.2
1.0
1
