QS6K1
晶体管
2.5V驱动N沟道+ N沟道MOS FET
QS6K1
结构
硅N沟道
MOS FET
外形尺寸
（单位：毫米）
TSMT6
1.0MAX
0.85
0.7
2.9
1.9
0.95 0.95
特点
1）低导通电阻。
2 ）内置G -S保护二极管。
3 ）小和表面贴装封装（ TSMT6 ） 。
应用
电源开关， DC / DC变换器。
(6)
(5)
(4)
1.6
2.8
0~0.1
(1)
(2)
(3)
1PIN MARK
0.4
0.16
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： K01
包装规格
包
TYPE
QS6K1
CODE
基本订购单位（件）
TAPING
TR
3000
等效电路
(6)
(5)
(4)
(6)
(5)
(4)
2
2
0.3~0.6
(1)
(2)
(3)
1
(1)
(2)
1
(3)
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
<It对于Tr1和Tr2>相同评级
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
I
S
I
SP
1
P
D
总胆固醇
TSTG
2
1
ESD保护二极管
2
体二极管
（1） Tr1的栅极
（2） Tr2的源
（3） Tr2的栅
（ 4 ） Tr2的漏
（ 5 ） Tr1的源代码
（ 6 ） Tr1的漏
总功率耗散（T
C
=25°C)
通道温度
储存温度
1
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
2
安装在陶瓷基板
范围
30
12
±1.0
±4.0
0.8
4.0
1.25
0.9
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W / TOTAL
W /元
°C
°C
A
保护二极管被包含在栅极和间
源端，以防止静电的二极管
电时，该产品在使用中。使用保护
当固定电压超过电路。
热阻
参数
渠道环境
安装在陶瓷基板
符号
RTH （ CH -A ）
范围
100
139
单位
°C
/ W /总
°C
/ W /元
REV.B
1/3
