ISL6232
解决这个问题的情况下，一个小电阻（几欧姆）的
可以加入串联的引导销，以增加
导通高边MOSFET的时间成本
EF网络效率。
死区时间控制电路也实现监控
该UGATE和LGATE电压，使得一个外部的
的MOSFET可以从之前的其它接通防止
1完全关闭。此方法可允许操作
没有直通与外部广泛的选择范围
MOSFET，可最大限度地减少延误和维护的效率。对
实现这一目标，跟踪从UGATE和LGATE到
MOSFET栅极必须是低电阻和低电感。
否则，控制电路就会把MOSFET的栅极
如在关断状态时仍有一定的电荷留在
门。
电流感应输入， CS和OUT
内部电流检测放大器产生的电流信号
成比例的感测所产生的电压
电阻和电感电流（注册商标
CS
*I
L
） 。将扩增
电流检测信号和内部斜率补偿
信号相加在一起比较器的反相输入端。该
PWM比较器将关断高边MOSFET时，这
求和电压超过误差的COMP电压
放大器。
该ISL6232具有80mV的一个正电流限制阈值
有± 20 ％的容差。每当电压差
与CS和OUT超过80mV的，偏高
MOSFET关断和低侧MOSFET导通。这
降低的占空比，并使输出电压下降
直到电流限制不再超标。
外部低值检测电阻，R
CS
时，应
采摘65mV / I
PEAK
，在那里我
PEAK
是所需要的峰
电感器电流以支持全负载电流。此外，该
其它部件必须被选择，以维持连续的
95mV / R的电流
CS
。其导线的电流检测是非常有用的
输入用双绞线，它可以减少可能
噪音拾起在CS和OUT以及避免不稳定
切换。
负电流限制阈值时，典型的为20mV的，是
实施，以防止过度的反向电感电流
当OUT倾销指控。这种消极的电流限制
用于确定当低侧MOSFET应该打开
下车超声波脉冲跳跃模式。
电流模式（CCM ）和非连续电流模式
（DCM）中。在CCM模式中，边界是由公式3设定
V
OUT
(
1
–
D
)
-
I
OUT
= ----------------------------------
2Lf
s
（当量3）
其中，D =占空比，女
s
=开关频率， L =电感
值， IOUT =输出负载电流， VOUT =输出
电压。
然而，边界由下述式设置，
式（4） ，在DCM中的条件。
V
SKIP
-
I
OUT
= ----------------
2R
CS
（公式4），
其中， VSKIP是在跳脉冲模式电流限制阈值。该
上述两个边界值不能完全匹配
由于脉冲跳跃电流限制公差
阈值时，电感，频率和线路输入电压。该
ISL6232的设计，因为它运行在这样一种方式
在DCM模式（CCM）模式之间的混合模式
模式转换，可具有一个较长的脉冲和是
接着是一个短脉冲。但是这并不影响
输出纹波电压。这是一个正常的操作，这是不
环路稳定性问题。电感电流被限制在
在CCM模式，以满足负载电流要求，因为
电感电流在固定在DCM模式
混合模式操作。
电源良好（ PGOOD ）
软启动期间PGOOD保持在低水平。当两个OUT3和
OUT5电压达到90 ％的监管点， PGOOD
软启动周期结束后切换到高。当任
输出关断或为10 ％，低于其调控点，或故障
发生在任一输出， PGOOD变低。 PGOOD被设置为
低关断，待机和软启动过程中。
放电模式
当输出由来自切换EN3或EN5禁用
前高后低或锁断因欠压或
过流故障，它是通过一个内部20Ω放电
从第一阶段切换到PGND ，直到输出下降到0.3V 。
后的输出低于0.3V ， LGATE被迫高
输出放电到地。 LDO5 ， VCC和REF是
活性，在这种模式下。
上电复位，数字软启动，欠压锁定和
当V
IN
上升到大约3.8V ，上电复位
发生。经过内部基准电压和偏置电流
准备好了，无论LDO3和LDO5启用。 LDO5后
达到欠压锁定（ UVLO ）电压， 4.3V时，
启用降压控制器如果任EN3或EN5被绑定到
VCC 。然后，内部数字软启动电路开始
充电式，降压调节器的输出电容器
逐渐在1.2ms的范围内44步骤（典型值） ，使V
IN
浪涌电流可以减小。每个降压控制器
间DCM和CCM模式转型
自动过渡到跳过模式被确定
电流零交叉比较器，其检测所述电感器
电流的零交叉点，并关闭低侧MOSFET 。
脉冲跳跃脉冲频率之间的门槛
调制（PFM）和非跳跃的PWM不能
完全连续的边界重合
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FN9116.1
2009年4月20日
