集成
电路
系统公司
ICS8312
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-12
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK_EN ， OE
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK_EN ， OE
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK_EN ， OE
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK_EN ， OE
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DDO
= 3.3V ±5％ ;注1
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;我
OH
= -1mA
-5
-5
-5
-150
-150
-150
2.6
2
1.8
V
DD
- 0.2
V
DD
- 0.3
0.5
0.4
0.45
0.2
0.35
最低
2
1.7
0.65*V
DD
2
1.7
0.65*V
DD
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
1.3
0.7
0.35*V
DD
1.3
0.7
0.35*V
DD
150
150
150
5
5
5
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
T
ABLE
4F 。 LVCMOS DC
极特
,
T
A
= 0°C
TO
85°C
符号
参数
V
IH
输入高电压
V
IL
输入低电压
I
IH
输入高电流
I
IL
输入低电平电流
V
OH
输出高电压
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;我
OH
= -100uA
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
V
DDO
= 3.3V ±5％ ;注1
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;我
OL
= 1毫安
V
OL
输出低电压
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;我
OL
=为100uA
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
注1 ：输出端接50
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量部分， "Load测试Circuit"图。
8312AY
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
4
REV 。 2004年6月14日
