功率晶体管
2SD1754 ， 2SD1754A
硅NPN三重扩散平面型
单位：mm
7.0±0.3
3.5±0.2
对于功放的高正向电流传输比
7.2±0.3
0.8±0.2
3.0±0.2
1.0±0.2
q
q
q
高盼着电流传输比H
FE
的盼着电流传输比H良好的线性
FE
I型包使散热片直接焊接到
在印刷电路板，小型电子设备等。
(T
C
=25C)
评级
80
100
60
80
6
6
3
1
15
1.3
150
-55到+150
单位
V
10.0
–0.
+0.3
s
特点
1.1±0.1
0.75±0.1
0.85±0.1
0.4±0.1
2.3±0.2
4.6±0.4
1
2
3
s
绝对最大额定值
参数
集电极
基极电压
集电极
2SD1754
2SD1754A
2SD1754
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
I
B
Ta=25°C
P
C
T
j
T
英镑
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
I型包
3.5±0.2
2.0±0.2
7.0±0.3
单位：mm
0 0.15
3.0±0.2
10.2±0.3
1.0最大。
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
基极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
结温
储存温度
V
A
A
A
2.3±0.2
0.75±0.1
1.1±0.1
2.5
0.5 MAX 。
0.9±0.1
0 0.15
1
2
3
W
C
C
4.6±0.4
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
我型封装（ Y）
s
电气特性
参数
集电极截止
当前
2SD1754
2SD1754A
(T
C
=25C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
条件
V
CB
= 80V ，我
E
= 0
V
CB
= 100V ，我
E
= 0
V
CE
= 40V ，我
B
= 0
V
EB
= 6V ，我
C
= 0
I
C
= 25毫安，我
B
= 0
V
CE
= 4V ，我
C
= 0.5A
I
C
= 2A ，我
B
= 0.05A
V
CE
= 12V，我
C
= 0.2A ， F = 10MHz时
30
60
80
500
1500
1
V
兆赫
民
典型值
最大
100
100
100
100
单位
A
A
A
V
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极到发射极
电压
2SD1754
2SD1754A
V
首席执行官
h
FE *
V
CE （ SAT ）
f
T
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
*
h
FE
等级分类
Q
P
秩
h
FE
500 1000 800 1500
2.5±0.2
1.0
发射极电压2SD1754A
V
7.2±0.3
2.5±0.2
1.0
1
