AP9435GH/J
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低栅电荷
▼
简单的驱动要求
▼
快速开关
G
S
D
P沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
-30V
50mΩ
- 20A
描述
G
先进的功率MOSFET采用先进的加工技术
实现尽可能低的导通电阻，非常有效和成本
效益的设备。
在TO-252 / TO- 251封装被广泛用于商业，工业
应用程序。
G
D
D
S
TO-252(H)
S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
- 30
±20
- 20
-13
-60
12.5
0.1
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻，结案件
最大热阻，结到环境
价值
10
110
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
201017075-1/4
