AON4407L
P沟道增强型场效应晶体管
概述
该AON4407L采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作
与栅极电压可低至1.8V 。此装置适用于
用作负载开关。
-RoHS标准
卤素免费
特点
V
DS
(V) = -12V
I
D
= -9 A
(V
GS
= -4.5V)
R
DS （ ON）
< 20MΩ （V
GS
= -4.5V)
R
DS （ ON）
< 25MΩ （V
GS
= -2.5V)
R
DS （ ON）
< 31mΩ （V
GS
= -1.8V)
ESD保护！
为3x2 DFN
顶视图
销1
底部视图
D
D
D
G
D
D
D
S
G
Rg
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
C
功耗
B
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
最大
-12
±8
-9
-7
-60
2.5
1.6
-55到150
单位
V
V
A
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
符号
A
AD
t
≤
10s
稳定状态
稳定状态
R
θJA
R
θJL
典型值
42
74
25
最大
50
90
30
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
