RFUS20TM6S
ⅵELECTRICAL
特性曲线
100
Tj=125C
Tj=150C
反向电流：我
R
（ nA的）
正向电流：我
F
(A)
10
Tj=25C
Tj=75C
1
10000
Tj=125C
之间的电容
端子的CT （PF ）
100000
Tj=150C
1000
数据表
f=1MHz
Tj=25C
1000
100
100
Tj=75C
10
Tj=25C
0.1
0
1000
2000
3000
4000
1
0
50
100
150
200
250
300
350
10
0
5
10
15
20
25
30
正向电压： V
F
（毫伏）
V
F
-I
F
特征
反向电压： V
R
(V)
V
R
-I
R
特征
反向电压： V
R
(V)
V
R
-ct特性
2500
T½=25C
I
F
=20A
n=20pcs
1000
T½=25C
V
R
=600V
n=20pcs
100
450
445
正向电压： V
F
（毫伏）
反向电流：我
R
（ nA的）
2400
AVE ： 2113mV
2300
440
之间的电容
端子的CT （PF ）
435
430
425
420
415
410
405
Ta=25C
f=1MHz
V
R
=0V
n=10pcs
AVE ： 415.9pF
2200
2100
10
AVE ： 61.8nA
2000
1
V
F
色散图
I
R
色散图
1900
400
CT色散图
300
I
FSM
它有能力峰值浪涌
正向电流：我
FSM
(A)
250
8.3ms
200
1cyc
RESERVE恢复时间： TRR （ NS ）
40
T½=25C
I
F
=0.5A
I
R
=1A
Irr=0.25×I
R
n=10pcs
1000
峰值浪涌
正向电流：我
FSM
(A)
35
30
100
150
25
100
AVE ： 156A
50
20
AVE ： 26.1ns
15
10
I
FSM
8.3ms
8.3ms
1cyc.
0
I
FSM
DISRESION地图
10
TRR色散图
1
1
10
周期数
I
FSM
-CYCLE特性
100
1000
I
FSM
时间
峰值浪涌
正向电流：我
FSM
(A)
15
10
短暂
° C / W）
THAERMAL阻抗： Rth的（
静电
放电测试ESD （ KV ）
12
RTH （J -C ）
9
100
AVE ： 11.0kV
6
1
AVE ： 1.20kV
3
10
1
10
时间： T（毫秒）
I
FSM
-t特性
100
0
C=200pF
R=0
C=100pF
R=1.5k
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
ESD色散图
时间： T（ S）
RTH- T特性
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