AGR19030EF
30 W， 1930兆赫， 1990兆赫， PCS LDMOS RF功率晶体管
电气特性
表1.热特性
参数
热阻，结到外壳
表2.绝对最大额定值*
参数
漏源电压
栅源电压
总功耗在T
C
= 25 °C
减免上述25
°C
工作结温
存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
P
D
—
T
J
T
英镑
价值
65
–0.5, 15
87.5
0.5
200
–65, 150
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
符号
R
θJC
价值
2.0
单位
° C / W
*超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。这些都是绝对压力额定值只。
该设备的功能操作不是在这些或任何其他条件中超出的业务部门给出的暗示
数据表。如果长期工作在绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响。
推荐工作条件适用，除非另有规定：T已
C
= 30 °C.
表3.直流特性
参数
开关特性
38
漏源击穿电压（V
GS
= 0 V，I
D
=
150
A)
门源漏电流（V
GS
= 5 V, V
DS
= 0 V)
零栅极电压漏极漏电流（V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V)
基本特征
正向跨导（V
DS
= 10 V，I
D
= 0.4 A)
栅极阈值电压（V
DS
= 10 V，I
D
= 100 A)
门静态电压（V
DS
= 28 V，I
D
= 300 mA）的
漏源电压（V
GS
= 10 V，I
D
= 0.4 A)
符号
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
G
FS
民
65
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
2.4
—
3.8
0.3
最大
—
1
50
3
—
4.8
—
—
单位
VDC
μAdc
μAdc
S
VDC
VDC
VDC
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
