位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第0页 > MPC8313ECVRGDD > MPC8313ECVRGDD PDF资料 > MPC8313ECVRGDD PDF资料1第95页
文档修订历史记录
表73.文档修订历史（续）
启示录
数
1
日期
3/2008
实质性的改变（S ）
更换OVDD与NV
DD
到处
加入XCOREVDD和XPADVDD表1
在表2中移动VDD和VDDC表中的顶部的SerDes用品前
在表2中，从425 mA的总电流要求分割DDR行一分为二。一个用于DDR1 （131 mA）的
和其他的DDR2 （140 mA）的。
在表2中修正后的当前需求数量为NV的
DD
从27毫安到74毫安， LV
DD
从60毫安
到16毫安， LV
DDA
从85毫安至22 mA和LV
DDB
从85毫安到44毫安。
在表2中得到解决Vdd和VDDC电流要求从560毫安和454 mA至469和
377毫安分别。纠正AVDD1和AVDD2电流要求为10 mA至2-3毫安，而
XCOREVDD从100 mA至170毫安。
在表2中，添加的行指出0至105 C的结温范围内。加脚注说明2
C.
GPIO引脚可以从2.5 V单电源供电以及当配置为不同的功能。
在第2.1.2节， “电源电压规格， ”补充说明的目的的说明
表2中。
在第3节， “功率特性， ”补充说明表5的用途的说明。
重写了第2.2节“上电排序， ”并补充图3 。
在表4中，增加了“但包括核心， USB PLL以及SERDES数字电源的一部分...... ”附注1 。
在表4中更正“典型的大国”向“最大功率”附注2及加了注释的典型
力。
在表4中取出266 - MHz的行为266 MHz的核心部件不提供。
在表5中，移动LVDD下局部总线典型的功耗。
加入表6显示了低功率模式的功耗为D3warm模式。
在表8中校正SYS_CLK_IN频率范围从25-66兆赫至24-66.67兆赫。
添加了第8.4节“ eTSEC 1588交流规范”
在表42改变了USB输入保持T最低值
USIXKH
从0到1纳秒
添加表43和表44显示USB时钟规格
在表46 ，添加的行对于T
LALEHOV
, t
LALETOT1,
t
LALETOT2,
和T
LALETOT3
参数。额外
图40 。
在表50 ，上升时间删除行（T
I2CR
） 。吨的去除最小值
I2CF
。补充说明，说明5
该设备不符合有关的T 2.1 I2C总线规格版本
I2CF
AC
参数。
在表56 ，加了注释，指出： “该规范仅适用于正在运行的GPIO引脚
从3.3 V电源。请参阅表63所列为独立的GPIO信号电源。 “ [
添加表57显示了一个2.5 V电源供电GPIO引脚的直流特性。相同
当在2.5 V工作eTSEC直流特性
在第20节， “时钟”，纠正了一句“当设备被配置为PCI代理
设备， PCI_SYNC_IN是主要的输入时钟。 “陈述”当设备被配置为PCI
剂装置， PCI_CLK是主要的输入时钟“。
增加了“价值是由RCWLR决定[ COREPLL ]”图57注意1
添加段落和图59第22.2节“ PLL电源滤波。 ”
添加了第22.4节， “串行解串器模块电源去耦建议
取消了对PCI冲/过冲电压和最大的AC波形的两个数字
第2.1.2节， “电源电压规范”
MPC8313E的PowerQUICC
II Pro处理器硬件规格，版本2.1
飞思卡尔半导体公司
95
