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功率特性
表5
描述了一种典型的情况，其中与利用和阻抗的规定的百分比的块
消耗功率的所述量。
1
表5. MPC8313E的典型I / O功耗
接口
参数
333兆赫，
32位
266兆赫，
32位
GV
DD
(1.8 V)
—
—
GV
DD
(2.5 V)
0.355
0.323
NV
DD
(3.3 V)
—
—
LV
DDA
/
LV
DDB
(3.3 V)
—
—
LV
DDA
/
LV
DDB
(2.5 V)
—
—
LV
DD
(3.3 V)
—
—
单位
W
W
评论
—
—
DDR 1 ， 60 ％的利用率，
50％的读/写
R
s
= 22
Ω
R
t
= 50
Ω
一对时钟
容性负载：数据= 8 pF的，
控制地址= 8 pF的，
时钟= 8 pF的
DDR 2 ， 60 ％的利用率，
50％的读/写
R
s
= 22
Ω
R
t
= 75
Ω
一对时钟
容性负载：数据= 8 pF的，
控制地址= 8 pF的，
时钟= 8 pF的
PCI I / O负载= 50 pF的
333兆赫，
32位
266兆赫，
32位
0.266
0.246
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
W
W
—
—
33兆赫
66兆赫
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.120
0.249
—
—
—
—
—
0.015
—
—
—
—
0.008
0.078
0.078
—
—
—
—
—
—
0.044
—
—
—
—
0.056
0.040
—
—
—
—
W
W
W
W
W
W
W
W
—
—
—
—
多用
数
接口
二手
—
—
局部总线的I / O负载= 20 pF的
66兆赫
50兆赫
台湾证券交易所的I / O负载= 20 pF的
信息产业部，
25 MHZ
RGMII ，
125兆赫
USBDR控制器负载= 20 pF的
其他I / O
60兆赫
—
表6
显示MPC8313E ，而过渡到了，估计核心功耗
D3温暖的低功耗状态。
表6. MPC8313E低功耗模式功耗
1
333 - MHz的核心， 167 - MHz的CSB
2
D3温暖
1
1.0版
3
400
版本2.x或
后
3
425
单位
mW
所有接口。以进一步节省功耗，关闭时钟至未
块。
2
DDR ：该接口在以下频率运行频率为333 MHz ， eLBC 83兆赫，
PCI 33 MHz时， eTSEC1和TSEC2 ： 167兆赫， SEC ： 167兆赫， USB ： 167兆赫。看
在SCCR注册以获取更多信息。
3
这是基于对1.05 V和一个结点的电压在D3的暖最大功率
温度为105℃ 。
MPC8313E的PowerQUICC
II Pro处理器硬件规格，版本2.1
飞思卡尔半导体公司
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