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初步
数据表
RJM0306JSP
硅N / P沟道功率MOS FET
高速电源开关
特点
两个元件的每个N和P的信道被引入（适合H桥电路）
高密度安装
低导通电阻
能够4 V栅极驱动
高温D-S间漏保
雪崩额定值
REJ03G1571-0101
Rev.1.01
2010年5月28日
概要
瑞萨封装代码： PRSP0008DD -D
（包名称： SOP - 8 <FP - 8DAV> ）
S7
PIN号
1
2
D5
3
4
2G
MOS1
NCH
S3
4G
MOS2
NCH
5
6
7
8
元素
MOS1 （ N沟道）
MOS4 （ PCH）
MOS1 （ N沟道）
MOS1 （ N沟道）
MOS2 （ N沟道）
MOS2 （ N沟道）
MOS2 （ N沟道）
MOS3 （ PCH）
MOS3 （ PCH）
MOS3 （ PCH）
MOS4 （ PCH）
MOS4 （ PCH）
漏
门
来源
门
电极
漏
门
来源
门
MOS4
PCH
MOS3
PCH
6G
87
65
8G
1
4
23
D1
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
散热通道
通道温度
储存温度
注：1 。
2.
3.
4.
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
（脉冲）
注1
I
APNote 4
E
ARNote 4
PCH
注2
PCH
注3
总胆固醇
TSTG
价值
MOS1 ， 2 （ N沟道）
30
20
3.5
28
3.5
1.22
1.5
2.2
150
-55到+150
MOS3 ，4（ P沟道）
–30
20
–3.5
–28
–3.5
1.22
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
W
C
C
PW
10
s,
占空比
1%
1驱动器操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40
40
1.6毫米） ， PW
10 s
2驱动器的操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40
40
1.6毫米） ， PW
10 s
在总胆固醇值= 25 ° C， RG
50
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