功率晶体管
2SD2528
NPN硅外延平面型
单位：mm
对于功放的高正向电流传输比
I
特点
高正向电流传输比H
FE
正向电流传输比H良好的线性
FE
这可以用一个可安装在散热片的全包包
螺丝
9.9
±0.3
3.0
±0.5
4.6
±0.2
2.9
±0.2
13.7
±0.2
4.2
±0.2
浸焊
15.0
±0.5
φ
3.2
±0.1
1.4
±0.2
1.6
±0.2
0.8
±0.1
2.6
±0.1
I
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散
T
C
= 25°C
T
a
= 25°C
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
I
B
P
C
等级
80
60
6
10
5
1
40
2.0
150
55
to
+150
°C
°C
单位
V
V
V
A
A
A
W
0.55
±0.15
2.54
±0.30
5.08
±0.50
1
2
3
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
TO- 220D套餐
结温
储存温度
I
电气特性
T
C
=
25°C
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
正向电流传输比
*
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
注） *：等级分类
秩
h
FE
P
Q
符号
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
V
CB
= 80 V，I
E
= 0
V
EB
= 6 V，I
C
= 0
I
C
= 25 mA时，我
B
= 0
V
CE
= 4 V，I
C
= 1 A
I
C
= 4 A，I
B
= 0.1 A
V
CE
= 12 V，I
C
= 0.4 A， F = 10 MHz的
I
C
= 4 A，I
B1
= 0.08 A，I
B2
=
0.08 A,
V
CC
= 50 V
30
0.4
2.0
0.6
60
500
2 000
0.3
V
兆赫
s
s
s
民
典型值
最大
100
100
单位
A
A
V
800 2 000 500到1 200
1
