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订购数量: 1787A
PNP / NPN外延平面硅晶体管
2SB1121/2SD1621
大电流驱动器应用
应用
·稳压器,继电器驱动器,灯驱动器,
电气设备。
包装尺寸
单位:mm
2038
[2SB1121/2SD1621]
特点
·采用FBET , MBIT过程。
·低集电极 - 发射极饱和电压。
·大电流容量,广ASO 。
·快速开关速度。
·超小尺寸使其易于提供高
密度,小尺寸的混合IC的。
E:发射器
C:收藏家
B:基本
(): 2SB1121
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
条件
三洋: PCP
(底视图)
评级
(–)30
(–)25
(–)6
(–)2
(–)5
500
单位
V
V
V
A
A
mW
W
安装在陶瓷板上( 250毫米
2
×0.8mm)
Tj
TSTG
1.3
150
-55到+150
C
C
电气特性
在Ta = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
符号
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
fT
VCB = ( - ) 20V , IE = 0
VEB = ( - ) 4V, IC = 0
VCE = ( - ) 2V , IC = ( - ) 100毫安
VCE = ( - ) 2V , IC = ( - ) 1.5A
VCE = ( - ) 10V , IC = ( - ) 50毫安
100*
65
150
兆赫
条件
评级
典型值
最大
(–)0.1
(–)0.1
560*
单位
A
A
* ;该2SB1121 / 2SD1621进行分类百毫安
FE
如下:
100
R
200
140
S
280
200
T
400
280
U
560
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子,能够处理
适用于要求极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前,用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数)和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务指挥部
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
92098HA ( KT ) / 4107KI / 3045MW , TS No.1787-1 / 4
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