位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第35页 > RR0816P-224-D > RR0816P-224-D PDF资料 > RR0816P-224-D PDF资料1第24页
MB39A104
s
选择组件
P沟道MOS FET
所述P沟道MOSFET的切换使用的额定电流应比最大输入电压更多的至少20％。对
尽量减少损失的连续性，采用FET的低R
DS （ ON）
漏极和源极之间。用于高输入电压和
高频操作时，开/关周期的开关损失会更高，使得功耗必须加以考虑。
在本申请中，东芝TPC8102被使用。连续性损失，开/关开关损耗和总损耗是阻止 -
由下式确定的。的选择必须确保峰值漏极电流不超过额定值，
并且还必须符合过电流检测水平。
通损耗：P
C
P
C
=
I
D 2
×
R
DS （ ON）
×
税
在周期开关损耗：P
S（ ON）的
V
D（最大）
×
I
D
×
tr
×
f
OSC
P
S（ ON）的
=
6
非周期开关损耗：P
S（ OFF）
V
D（最大）
×
I
D（最大）
×
tf
×
f
OSC
P
S（ OFF）
=
6
总损失：P
T
P
T
=
P
C
+
P
S（ ON）的
+
P
S（ OFF）
示例：使用东芝TPC8102
CH1
输入电压V
IN （MAX）
=
19 V ，输出电压V
O
=
5 V ，漏电流I
D
=
3 A，振荡频率f
OSC
=
500千赫，
L
=
15
H,
漏源电阻R
DS （ ON）
= 50毫欧， TR
=
TF = 100纳秒。
:
:
漏极电流（最大） ：我
D（最大）
V
IN
V
O
I
D（最大）
=
I
O
+
吨
2L
=
3
+
19
5
2
×
15
×
10
6
×
1
×
0.263
500
×
10
3
= 3.25 (A)
:
漏极电流（最小值） ：我
D（最小值）
V
IN
V
O
I
D（最小值）
=
I
O
吨
2L
=
3
19
5
2
×
15
×
10
6
×
1
×
0.263
500
×
10
3
= 2.75 (A)
:
24
