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H5PS1G83EFR系列
3.3.3 OCD默认特征
描述
输出阻抗
输出阻抗步长OCD校准
上拉和下拉不匹配
输出压摆率
注意：
1.绝对指标（拓博; VDD = + 1.8V ± 0.1V ， VDDQ = + 1.8V ± 0.1V ）
输出源的直流电流2.阻抗测量条件： VDDQ = 1.7V ; VOUT = 1420mV ; （ VOUT-
VDDQ ） / IOH必须小于23.4欧姆VOUT的VDDQ和VDDQ - 280MV之间的值。
输出汇直流电流阻抗测量条件： VDDQ = 1.7V ; VOUT = 280MV ; VOUT /人工晶体必须是
小于23.4欧姆VOUT的0V和280MV之间的值。
3.失配之间的上拉和下拉的dn绝对值，两者都在相同的温度和电压测量。
4.压摆率从VIL （ AC）测量到VIH （ AC） 。
5.摆率作为从直流测量到直流的绝对值等于或大于所述压摆率
从测量交流交流。这是通过设计和特性保证。
6.这代表当OCD接近18欧姆，在整个过程中都标称条件下的步长
角/变化和仅代表DRAM的不确定性。 A 0欧姆值（未校准）才能实现
如果OCD阻抗是18欧姆+/-额定条件下0.75欧姆。
输出压摆率负载：
VTT
参数
民
-
0
0
喃
-
最大
-
1.5
4
单位
欧
欧
欧
V / ns的
笔记
1
6
1,2,3
1,4,5,6,7,8
SOUT
1.5
-
5
25欧姆
产量
（VOUT ）
参考
点
7. DRAM输出斜率规范适用于400 ， 533和667 MT / s的速度垃圾箱。
8.定时偏移是由于DQS / DQS和相关DQ间的DRAM输出压摆率不匹配包含在
TDQSQ和TQHS规范。
2009年修订版1.0 /月
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