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晶体管
2SD0602 ， 2SD0602A
（ 2SD602 ， 2SD602A ）
NPN硅外延平面型
对于一般的放大
补充2SB0710 （ 2SB710 ）和2SB0710A （ 2SB710A ）
单位：mm
I
特点
G
G
2.8
–0.3
0.65±0.15
+0.2
2.9
–0.05
1.9±0.2
+0.2
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
.
迷你型封装，设备，允许小型化，
通过带包装盒自动插入
包装。
(Ta=25C)
1.5
–0.05
+0.25
0.65±0.15
0.95
1
0.95
3
0.4
–0.05
+0.1
I
绝对最大额定值
参数
集电极
基极电压
集电极
2SD0602
2SD0602A
2SD0602
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
2
+0.2
1.1
–0.1
60
25
50
5
1
500
200
150
–55 ~ +150
V
发射极电压2SD0602A
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
V
V
A
mA
mW
C
C
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
JEDEC ： TO- 236
EIAJ ： SC- 59
迷你型包装
标记符号：
W
(2SD0602)
X
(2SD0602A)
I
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
收藏家基地
电压
集电极到发射极
电压
2SD0602
2SD0602A
2SD0602
2SD0602A
(Ta=25C)
符号
I
CBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
V
CB
= 20V ，我
E
= 0
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 150毫安
*2
V
CE
= 10V ，我
C
= 500毫安
*2
I
C
= 300毫安，我
B
= 30毫安
*2
V
CB
= 10V ，我
E
= -50mA
*2
中，f = 200MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
30
60
25
50
5
85
40
0.35
200
6
*2
民
典型值
0-0.1
为0.1 0.3
0.4±0.2
0.8
30
最大
0.1
0.16
–0.06
评级
单位
+0.1
1.45
单位
A
V
V
V
160
340
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
*1
h
FE1
0.6
V
兆赫
15
pF
脉冲测量
等级分类
秩
h
FE1
Q
85 ~ 170
2SD0602
2SD0602A
WQ
XQ
R
120 ~ 240
WR
XR
S
170 ~ 340
WS
XS
注）括号中显示零件编号
传统的零件编号。
记号
符号
1
