HAT2189WP
硅N沟道功率MOS FET
电源开关
REJ03G1251-0200
Rev.2.00
2009年8月28日
特点
低导通电阻
低驱动电流
高密度安装
概要
瑞萨封装代码： PWSN0008DA -A
（包名称： WPAK ）
5 6 7 8
D D D D
5 6 7 8
4
G
4 3 2 1
1, 2, 3
来源
4
门
5，6， 7，8排水
S S S
1 2 3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
μs,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
3. STCH = 25 ° C，总胆固醇
≤
150°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
DR
I
DR （脉冲）注1
I
APNote3
E
ARNote3
PCH
Note2
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
200
±30
8.5
17
8.5
17
8.5
4.8
20
6.25
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
REJ03G1251-0200 Rev.2.00 2009年8月28日
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