SBYV26C

威世通用半导体

100

100

T

J

= T

J

马克斯。

10毫秒单一正弦半波

T

J

= 25 °C

F = 1.0 MHz的

V

SIG

= 50 MVP -P

峰值正向浪涌电流（ A）

10

结电容（pF ）

1

10

100

10

1

1

0.1

1

10

100

数

环，在50赫兹的

反向

电压

(V)

图3.最大非重复峰值正向浪涌电流

图6.典型结电容

100

100

10

T

J

= 165 °C

T

J

= 125 °C

1

T

J

= 25 °C

瞬态热阻抗（ ℃/ W）

正向电流（A ）

10

0.1

脉冲

宽度

= 300

s

1 ％占空比

0.01

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

1

0.01

0.1

1

10

100

正向

电压

(V)

吨 - 脉冲持续时间（ S）

图4.典型的正向特性

图7.典型的瞬态热阻抗

100

瞬时反向漏

电流（ μA ）

10

T

J

= 165 °C

T

J

= 125 °C

1

0.1

0.01

T

J

= 25 °C

0.001

0

20

40

60

80

100

百分比额定峰值反向

电压

(%)

图5.典型的反向漏电特性

文档编号： 88735

修订： 20 - 8 - 07

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