SGP30N60
SGW30N60
5.0mJ
4.5mJ
*)
E
on
和
E
ts
包括损失
由于二极管恢复。
4.0mJ
E
ts
*
3.5mJ
*)
E
on
和
E
ts
包括损失
由于二极管恢复。
E,
开关损耗
E,
开关损耗
4.0mJ
3.5mJ
3.0mJ
2.5mJ
2.0mJ
1.5mJ
1.0mJ
0.5mJ
0.0mJ
10A
20A
30A
40A
50A
60A
70A
E
on
*
E
关闭
3.0mJ
2.5mJ
2.0mJ
1.5mJ
1.0mJ
0.5mJ
0.0mJ
0
E
关闭
E
on
*
E
ts
*
10
20
30
40
I
C
,
集电极电流
图13.典型的开关损耗
AS集电极电流的函数
（感性负载，
T
j
= 150°C,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+15V,
R
G
= 11,
在图E动态测试电路）
R
G
,
栅极电阻
图14.典型的开关损耗
作为栅极电阻的函数
（感性负载，
T
j
= 150°C,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+15V,
I
C
= 30A,
在图E动态测试电路）
3.0mJ
10 K / W
0
2.5mJ
Z
thJC
,
瞬态热阻抗
*)
E
on
和
E
ts
包括损失
由于二极管恢复。
D=0.5
-1
E,
开关损耗
10 K / W
0.2
0.1
0.05
2.0mJ
E
ts
*
1.5mJ
E
on
*
E
关闭
0.5mJ
10 K / W
0.01
-3
-2
0.02
1.0mJ
10 K / W
单脉冲
R
,(1/W)
0.3681
0.0938
0.0380
R
1
τ
,
(s)
0.0555
-3
1.26*10
-4
1.49*10
R
2
C
1
=
τ
1
/
R
1
C
2
=
τ
2
/
R
2
0.0mJ
0°C
50°C
100°C
150°C
10 K / W
1s
-4
10s
100s
1ms
10毫秒100毫秒
1s
T
j
,
结温
图15.典型的开关损耗
作为结温的函数
（感性负载，
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+15V,
I
C
= 30A,
R
G
= 11,
在图E动态测试电路）
t
p
,
脉冲宽度
图16. IGBT瞬态热
阻抗作为脉冲宽度的函数
(D =
t
p
/
T)
7
修订版2.4
9月8日
