SPICE器件模型SiE808DF
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
正向电压
a
符号
测试条件
模拟
数据
2.3
2562
0.0013
0.0022
234
0.84
测
数据
单位
V
GS （ TH）
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 25 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 25 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 25 A
I
S
= 10 A
V
A
0.0013
0.0021
95
0.80
S
V
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
= 1 0V, V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
6664
1585
472
121
58
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
26
28
8800
1600
600
102
46
26
28
nC
pF
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号： 74167
S- 60411Rev 。 A， 20 -MAR -06
