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硅保护阵列
TM
为8pF ESD保护阵列
绝对最大额定值
符号
I
P
T
OP
T
STOR
峰值电流（T
p
=8/20μs)
工作温度
储存温度
参数
价值
2
-40到85
-60至150
单位
A
°C
°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
热信息
参数
存储温度范围
最高结温
最大的铅温度（焊接10秒）
等级
-65到150
150
300
单位
°C
°C
°C
电气特性（T
OP
= 25°C)
参数
正向电压降
反向电压降
反向隔离
反向漏电流
钳位电压
1
符号
V
F
V
R
V
RWM
I
泄漏
V
C
测试条件
I
F
=10mA
I
R
=10mA
I
R
≤1μA
V
R
=5V
I
PP
= 1A ，T
p
= 8 / 20μs的，正向
I
PP
= 2A，T
p
= 8 / 20μs的，正向
IEC61000-4-2 （联系）
IEC61000-4-2 （空）
反向偏压= 0V
二极管电容
1
C
D
反向偏压= 2.5V
反向偏压= 5V
注意事项：
1
2
民
0.7
6.0
典型值
0.9
6.7
最大
1.2
8.0
5.5
0.5
单位
V
V
V
μA
V
V
kV
kV
8.0
9.7
±8
±15
12
8
7
11.0
13.0
ESD耐压
1,2
V
ESD
pF
pF
pF
参数由器件特性保证
最少1000的ESD脉冲被施加在每个二极管的阳极和共阴极间1秒的时间间隔
电容与反向偏置
14
12
10
电容（pF）
8
6
4
2
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
直流偏压（ V）
SP1001无铅/绿色系列
12
2008 Littelfuse公司
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
请参考http://www.littelfuse.com的最新信息。
