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初步
规范
奥斯汀半导体公司
EEPROM
AS8ERLC128K32
电气特性和推荐AC写特性
(-55
o
<牛逼
A
< 125
o
℃; VCC = 3.3V + 3.3V的）
符号
t
AS
t
AH
t
CS
t
CH
t
WS
t
WH
t
OES
t
OEH
t
DS
t
DH
t
WP
t
CW
t
DL
t
BLC
t
BL
t
WC
t
DB
t
DW
t
RP
t
水库
地址建立时间
地址保持时间
CE \\写建立时间（WE \\控制）
CE \\保持时间（WE \\控制）
WE \\写建立时间（ CE \\控制）
WE \\以保持时间（ CE \\控制）
OE \\写建立时间
OE \\以保持时间
数据建立时间
数据保持时间
WE \\脉冲宽度（WE \\控制）
CE \\脉冲宽度（ CE \\控制）
数据锁存时间
字节负载循环
字节加载窗口
写周期时间
时间到设备忙
写开始时间
复位保护时间
复位的时候
(5)
参数
民
(2)
0
150
0
0
0
0
0
0
100
10
250
250
750
1
100
最大
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
30
s
s
15
150
250
(4)
(3)
ms
ns
ns
s
s
100
2
读时序波形
地址
CE \\
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
OH
OE \\
WE \\
数据输出
V
IH
高-Z
t
RR
数据输出有效
t
DFR
RES \\
AS8ERLC128K32
修订版1.9 06/06
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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