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HB54A5129F1-B75B/10B
直流特性1 （ TA = 0 + 70 ° C， VCC ， VCCQ = 2.5V ± 0.2V ， VSS = 0V ）
参数
工作电流（ ACTV - PRE ）
符号
ICC0
GRADE
-B75B
-10B
-B75B
-10B
-B75B
-10B
-B75B
-10B
-B75B
-10B
-B75B
-10B
-B75B
-10B
-B75B
-10B
-B75B
-10B
-B75B
-10B
马克斯。
2096
1819
2996
2719
656
595
1016
919
746
649
1196
1099
4256
4069
3896
3709
3986
3619
440
433
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
测试条件
笔记
CKE
≥
VIH ，的tRC =分钟。 1，2， 5
CKE
≥
VIH ，BL = 2，
CL = 3.5 ，的tRC =分钟。
CKE
≤
VIL
CKE
≥
VIH ， / CS
≥
VIH
CKE
≤
VIL
CKE
≥
VIH ， / CS
≥
VIH
tRAS的=最大。
CKE
≥
VIH ，BL = 2，
CL = 3.5
CKE
≥
VIH ，BL = 2，
CL = 3.5
tRFC =分钟，
输入
≤
VIL或
≥
VIH
输入
≥
VCC - 0.2V
输入
≤
0.2V.
1, 2, 5
4
4
3
3
1, 2, 5, 6
1, 2, 5, 6
工作电流（ ACTV可读取
ICC1
PRE ）
闲置功耗降低待机电流ICC2P
空闲待机电流
主动关闭电源待机
当前
主动待机电流
ICC2N
ICC3P
ICC3N
ICC4R
ICC4W
ICC5
ICC6
EO
工作电流
（突发读取操作）
工作电流
（突发写操作）
自动刷新当前
自刷新电流
注释。 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
7.
这些ICC数据条件下， DQ引脚没有连接下测得的。
一家银行的操作。
一家银行主动。
所有银行都处于闲置状态。
命令/地址转换一次每一个周期。
数据/数据掩码过渡两次每一个周期。
此表在ICC数据测量方面的TCK =分钟。大体。
直流特性2 （ TA = 0 + 70 ° C， VCC ， VCCQ = 2.5V ± 0.2V ， VSS = 0V ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
符号
ILI
国际劳工组织
分钟。
–10
马克斯。
10
单位
A
注：1， DDR SDRAM组件规范。
数据表E0090H60 （6.0版）
L
VOH
VOL
od
Pr
–10
10
—
A
V
1.95
—
0.35
V
测试条件
笔记
VCC
≥
VIN
≥
VSS
VCC
≥
VOUT
≥
VSS
IOH （最大） = -15.2mA
IOL （分钟） = 15.2毫安
1
1
t
uc
12
