LTC3499/LTC3499B
电气特性
符号
I
NMOS
I
PMOS
R
NMOS
R
PMOS
I
LIM
t
DLY ， ILIM
D
最大
D
民
f
OSC
G
MEA
I
来源
I
SINK
I
SS
V
OV
V
OV （ HYST ）
关闭
V
SHDN （ LOW ）
V
SHDN （ HIGH ）
I
SD
电池反接
I
VOUT ， REVBATT
I
VIN ， REVBATT
I
SHDN ， REVBATT
V
OUT
电池反向电流
V
IN
和V
SW
电池反向电流
SHDN提供电池反向电流
SHDN输入低
SHDN输入高
SHDN输入电流
参数
NMOS开关漏电
PMOS开关漏
NMOS开关导通电阻
PMOS开关导通电阻
NMOS电流限制
限流延迟到输出
最大占空比
最小占空比
频率精度
误差放大器跨导器
误差放大器器源电流
误差放大器灌电流
SS电流源
V
OUT
过电压阈值
V
OUT
过电压滞后
该
●
表示该指标适用在整个工作温度
范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 V
IN
= 2.4V, V
OUT
= 5V ， SHDN = 2.4V ，T
A
= T
J
除非另有说明。
条件
V
SW
= 6V
V
OUT
= 6V, V
SW
= 0V
V
OUT
= 3.3V
V
OUT
= 5V
V
OUT
= 3.3V
V
OUT
= 5V
●
民
典型值
0.1
0.1
0.45
0.4
0.58
0.45
最大
5
5
单位
A
A
A
ns
%
0.75
60
80
1
85
0
1.2
40
–5
5
1.4
注2
●
●
●
%
兆赫
μmhos
A
A
A
V
mV
V
SS
= 1V
–3
6.8
400
●
0.2
1.2
1
V
V
A
A
A
A
测量软件
●
V
OUT
= 0V, V
IN
= V
SHDN
= V
SW
= –6V
V
OUT
= 0V, V
IN
= V
SHDN
= V
SW
= –6V
V
OUT
= 0V, V
IN
= V
SHDN
= V
SW
= –6V
●
●
●
5
–5
–5
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 ：
规格为设计保证，而不是100 ％的测试，
生产。
注3：
LTC3499E / LTC3499BE ，保证满足设备
规格从0 ° C至85°C 。规格在-40° C至85°C
工作温度是由设计，表征和放心
相关的统计过程控制。
注4 ：
这些IC包括过热保护，旨在
在瞬间过载条件下保护器件。连接点
气温将超过125°C时，过热保护
活跃的。在特定网络版最高运行上面的连续运行
温度范围可能会影响器件的可靠性。
3499f
3
