DG408/409
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
V+ = 15 V, V- = - 15 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
r
DS （ ON）
匹配之间的通道
g
来源OFF漏电流
符号
V
类似物
r
DS （ ON）
Δr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
V
D
= - 10 V，I
S
= - 10毫安
V
D
= ± 10 V
V
S
= ± 10 V
V
D
= ± 10 V, V
EN
= 0 V
V
D
= ± 10 V
V
S
= ± 10 V
V
EN
= 0 V
V
S
= V
D
= ± 10
每个序列
开关ON
DG408
DG409
DG408
DG409
V
AL
= 0.8 V, V
AH
= 2.4 V
f
温度
b
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
V
A
= 2.4 V, 15 V
V
EN
= 0 V, 2.4 V, V
A
= 0 V
F = 1 MHz的
见图2
参见图4
见图3
C
L
= 10nF的，V
S
= 0 V
V
EN
= 0 V ，R
L
= 1 kΩ
F = 100千赫
V
EN
= 0 V, V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
EN
= 0 V
V
D
= 0 V
F = 1 MHz的
DG408
DG409
DG408
DG409
满
满
房间
满
房间
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
满
满
房间
满
满
8
160
10
115
105
20
- 75
3
26
14
37
25
10
1
0.2
- 75
0.5
2
- 500
- 500
75
- 75
0.5
2
75
pF
150
225
150
250
10
150
150
pC
dB
ns
250
- 10
- 10
- 0.5
- 50
-1
- 100
-1
- 50
-1
- 100
-1
- 50
2.4
0.8
10
10
- 10
- 10
40
典型值
c
后缀
- 55至125℃的
民
d
- 15
最大
d
15
100
125
15
0.5
50
1
100
1
50
1
100
1
50
- 0.5
-5
-1
- 20
-1
- 10
-1
- 20
-1
- 10
2.4
0.8
10
10
后缀
- 4085 ℃下
民
d
- 15
最大
d
15
100
125
15
0.5
5
1
20
1
10
1
20
1
10
单位
V
Ω
%
流掉泄漏电流
I
D（关闭）
nA
漏极泄漏电流
数字控制
逻辑高输入电压
逻辑低输入电压
逻辑高输入电流
逻辑低输入电流
逻辑输入电容
动态特性
转换时间
突破前先间隔
启用开启时间
启用关闭时间
电荷注入
关断隔离
h
源关断电容
流掉电容
排水导通电容
电源
正电源电流
负电源电流
正电源电流
负电源电流
I
D（上）
V
INH
V
INL
I
AH
I
AL
C
in
t
TRANS
t
开放
t
ON （ EN ）
t
OFF （ EN ）
Q
OIRR
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
V
A
pF
I+
I-
I+
I-
V
EN
= V
A
= 0 V或5 V
V
EN
= 2.4 V, V
A
= 0 V
A
mA
A
文档编号： 70062
S- 71155 -REV 。 G， 11军， 07
www.vishay.com
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