新产品
SUD19P06-60
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
30
V
GS
= 10直通5
V
25
I
D
- 漏电流（ A）
4
V
I
D
- 漏电流（ A）
25
30
20
20
15
15
10
3
V
10
T
C
= 125 °C
5
25 °C
- 55 °C
5
0
0
2
4
6
8
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
V
DS
- 漏 - 所以，
u
RCE
V
oltage （
V
)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
35
30
克FS - 跨导（S ）
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
25
30
125 °C
T
C
= - 55 °C
25 °C
RDS （ ON） - 导通电阻（ Ω ）
0.12
传输特性
0.10
0.08
V
GS
= 4.5
V
0.06
V
GS
= 10
V
0.04
0.02
0.00
0
5
10
15
20
25
30
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
I
D
- 漏电流（ A）
跨
1800
20
导通电阻与漏电流
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
1500
- 电容（pF ）
C
国际空间站
16
V
DS
= 30 V
I
D
= 10 A
1200
12
900
8
600
300
C
RSS
0
10
4
C
OSS
0
0
20
30
40
50
60
0
10
20
30
40
50
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
电容
文档编号： 69253
S- 72191 -REV 。 A， 22 - OCT- 07
栅极电荷
www.vishay.com
3
