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A29L008系列
对于读阵列数据要求
从输出读阵列数据，系统必须驱动
该
CE
和
OE
引脚V
IL
.
CE
是功率控制和
选择该设备。
OE
是输出控制和栅极
数组数据到输出引脚。
WE
应保持在V
IH
所有
读操作期间的时间。内部状态机
被设置用于在设备上电时读取阵列数据，或后
硬件复位。这将确保没有虚假变更
记忆的内容时，电源转换过程中。
没有命令，必须在此模式下，获得数组
数据。标准的微处理器读周期的断言有效
器件地址输入地址产生有效的数据
上的设备的数据输出。该设备仍然启用
读访问，直到命令寄存器内容
改变。
见"Reading阵列Data"以获取更多信息。参阅
AC读操作表，定时规范和
对于时间的读操作时序图
波形，升
CC1
在DC特性表代表
有功电流规范用于读取阵列的数据。
编程和擦除操作状态
在一个擦除或写入操作时，系统可
通过读取状态位检查操作的状态
在I / O
7
- I / O
0
。标准的读周期时序和我
CC
读
规格适用。请参阅"Write操作Status"的
更多信息，以及每个AC特性部分
时序图。
待机模式
当系统没有读取或写入设备，它
可将设备置于待机模式。在这种模式下，
电流消耗被大大减小，并且输出
置于高阻抗状态，独立的
OE
输入。
该器件进入CMOS待机模式时，
CE
＆放大器;
RESET
引脚均保持在VCC
±
0.3V 。 （请注意，此
是一个比较受限制电压范围比V
IH
）。如果
CE
和
RESET
保持在V
IH
，但不是在VCC
±
0.3V时，
设备将处于待机状态，但是待机电流
会更大。该设备需要接入标准
时间（t
CE
）它准备读出的数据之前。
如果设备被擦除或编程的过程中取消选择，
该器件消耗的有功电流，直到操作
完成。
I
CC3
我
CC4
在DC特性表代表
待机电流规格。
写命令/命令序列
写一个命令或命令序列（其
包括编程数据到设备和擦除
的存储器扇区）时，系统必须驱动
WE
和
CE
to
V
IL
和
OE
到V
IH
。该器件具有一个解锁绕道
模式，以方便更快速的编程。一旦设备
进入解锁旁路模式，只有两个写周期
编程，而不是四个字或字节，必需的。在“
程序命令序列“部分有详细
同时使用标准的编程数据到设备和
解锁绕道命令序列。在擦除操作
可以擦除一个扇区，多个扇区或整个设备。
扇区地址表中注明的地址范围
每个扇区占据。一个"sector address"组成的
需要唯一地选择一个扇区地址输入。见
关于擦除细节"Command Definitions"节
扇区或整个芯片，或暂停/恢复擦除
操作。
在系统中写入自动选择命令序列，
器件进入自动选择模式。该系统可
然后读取从内部寄存器自动选择码（其
是对我分开的存储器阵列）输入/输出
7
- I / O
0
。标准
读周期时序适用于这种模式。参阅
＆ QUOT ;自选模式＆ QUOT ;和＆ QUOT ;自选命令序列QUOT ;
部分以获取更多信息。
I
CC2
在DC特性表代表活动
当前规范为写入模式。该"AC
Characteristics"部分包含时序规格表
和时序图，用于写操作。
自动休眠模式
自动睡眠模式，最大限度地降低闪存器件的能量
消费。该设备将自动启用该模式
当地址保持稳定吨
加
+为30ns 。该
自动睡眠模式是独立的
CE
,
WE
和
OE
控制信号。标准地址的访问时序
提供新数据时，地址被改变了。而在
睡眠模式时，输出数据被锁存，并随时可以
该系统。我
CC4
在DC特性表代表
自动睡眠模式电流规范。
输出禁止模式
当
OE
输入是在V
IH
从设备输出是
禁用。输出引脚被放置在高阻抗
状态。
初步
（ 2002年11月，版本0.0 ）
6
AMIC技术股份有限公司
