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PIC12C5XX
4.3
状态寄存器
该寄存器包含ALU的算术运算状态，
复位状态，并在页面预选位
程序存储器大于512个字。
STATUS寄存器可以是目的地的任何
指令，与任何其他寄存器。如果STATUS
寄存器作为目标的影响的指令
的Z， DC或C位，那么写这三位是
禁用。这些位根据设置或清除
该器件的逻辑。此外，TO和PD位
不写。同的指令。因此，其结果
状态寄存器作为目标可能会有所不同
比预期的。
例如，
CLRF STATUS
将清零高3
位，并将Z位。这将使状态寄存器
as
000u u1uu
（其中
u
=不变） 。
建议的，因此，只
BCF ， BSF
和
MOVWF
指令来改变STATUS
注册，因为这些指令不会影响到Z，
从状态寄存器DC或C位。对于其他
说明，这不影响状态位，看
指令集汇总。
图4-4：
R/W-0
GPWUF
bit7
第7位：
状态寄存器（地址： 03H ）
R/W-0
PA0
5
R-1
TO
4
R-1
PD
3
R / W -X
Z
2
R / W -X
DC
1
R / W -X
C
bit0
R/W-0
—
6
R =可读位
W =可写位
- n =上电复位值
GPWUF ：
GPIO复位位
1 =复位，由于唤醒从休眠模式引脚电平变化
0 =上电或其他复位
未实现
PA0 ：
程序页面预选位
1 =第1页（ 200H - 至3FFh ） - PIC12C509 ， PIC12C509A ， PIC12CR509A和PIC12CE519
0 = 0页（ 000H - 1FFh的） - PIC12C5XX
每一页为512字节。
在设备使用PA0位作为通用读/写位不使用它的程序
页面预选不推荐，因为这可能会影响未来产品的向上兼容性。
要：
超时位
1 =上电后，
CLRWDT
指令，或
睡觉
指令
0 =发生了WDT超时
PD ：
掉电位
1 =在上电或由
CLRWDT
指令
0 =执行的
睡觉
指令
Z:
零位
1 =算术运算或逻辑运算的结果是零
0 =算术运算或逻辑运算的结果不为零
DC ：
进位/借位（为
ADDWF
和
SUBWF
说明）
ADDWF
1 =结果的发生的第4低位进位
0 =未发生结果的第4低位进位
SUBWF
1 =借用的结果的第4低位未发生
0 = A借用发生结果的第4低位
C:
进位/借位（为
ADDWF ， SUBWF
和
RRF ， RLF
说明）
ADDWF
SUBWF
1 =发生了进
1 =未发生借
0 =未发生进
0 =发生了借位
RRF和RLF
负载位与最低位或最高位，分别为
第6位：
位5：
位4：
位3：
位2：
位1 ：
位0：
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1999 Microchip的技术公司
