电气规格
.
表10 。
符号
V
CCP
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
OH
I
OL
I
LI
Cpad1
Cpad2
CMOS信号组直流规范
参数
I / O电压
输入高电压
输入低电压CMOS
输出高电压
输出低电压
输出高电流
输出低电流
输入漏电流
垫电容
垫电容的CMOS输入
1.6
0.95
2.1
1.2
民
1.00
0.7*V
CCP
-0.10
0.9*V
CCP
-0.10
1.5
1.5
典型值
1.05
V
CCP
0.00
V
CCP
0
最大
1.10
V
CCP
+0.1
0.3*V
CCP
V
CCP
+0.1
0.1*V
CCP
4.1
4.1
± 100
2.55
1.45
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
A
pF
2
2
2
2
4
3
5
6
7
笔记
1
注意事项：
1.
除非另有说明，本表中的所有规范适用于所有的处理器频率。
2.
在V
CCP
在这些规范称为指瞬时V
CCP
.
3.
测得0.1 * V
CCP
.
4.
测得0.9 * V
CCP
.
5.
对于0 V和V之间的输入电压（输入电压）
CCP
。测量时，司机为三态。
6.
Cpad1仅包括DPRSTP ＃ ， DPSLP ＃ ， PWRGOOD模电容。无封装寄生效应是
包括在内。
7.
Cpad2包括模电容为所有其它的CMOS输入信号。无封装寄生效应也包括在内。
表11 。
符号
V
OH
V
OL
I
OL
I
LO
CPAD
漏极开路信号组直流规范
参数
输出高电压
输出低电压
输出低电流
输出漏电流
垫电容
1.9
2.2
民
V
CCP
-5%
0
16
典型值
V
CCP
最大
V
CCP
+5%
0.20
50
± 200
2.45
单位
V
V
mA
A
pF
2
4
5
笔记
1
3
注意事项：
1.
除非另有说明，本表中的所有规范适用于所有的处理器频率。
2.
测得为0.2 V.
3.
V
OH
由外部上拉电阻到V的值决定。
CCP
.
4.
对于0 V和V之间的输入电压（输入电压）
OH
.
5.
CPAD包括模电容而已。无封装寄生效应也包括在内。
§§
38
数据表
